2SK579S Todos los transistores

 

2SK579S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK579S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SK579S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SK579S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  inchange semiconductor
 2sk579s.pdf pdf_icon

2SK579S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK579SFEATURESDrain Current : I = 1.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.5(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

 8.1. Size:49K  hitachi
 2sk579 2sk580.pdf pdf_icon

2SK579S

 8.2. Size:354K  inchange semiconductor
 2sk579l.pdf pdf_icon

2SK579S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK579LFEATURESDrain Current : I = 1.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.5(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

 9.1. Size:232K  toshiba
 2sk578.pdf pdf_icon

2SK579S

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AP4563GM , AP4569GD , 2SK56 , 2SK559 , 2SK560 , 2SK578 , 2SK579L , 2SK580L , AON7506 , 2SK580S , 2SK583 , 2SK620 , 2SK655 , 2SK656 , 2SK657 , AP4569GH , AP4569GM .

History: 3N70G-TF3-T | 2SK430S

 

 
Back to Top

 


 
.