Справочник MOSFET. 2SK579S

 

2SK579S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK579S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для 2SK579S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK579S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  inchange semiconductor
 2sk579s.pdf pdf_icon

2SK579S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK579SFEATURESDrain Current : I = 1.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.5(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

 8.1. Size:49K  hitachi
 2sk579 2sk580.pdf pdf_icon

2SK579S

 8.2. Size:354K  inchange semiconductor
 2sk579l.pdf pdf_icon

2SK579S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK579LFEATURESDrain Current : I = 1.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.5(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

 9.1. Size:232K  toshiba
 2sk578.pdf pdf_icon

2SK579S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4563GM , AP4569GD , 2SK56 , 2SK559 , 2SK560 , 2SK578 , 2SK579L , 2SK580L , IRLZ44N , 2SK580S , 2SK583 , 2SK620 , 2SK655 , 2SK656 , 2SK657 , AP4569GH , AP4569GM .

History: 5N65G-TN3-R | NCE60N1K0R | AOI600A60 | IPB60R160C6 | SSM5N16FE | FDMA86108LZ

 

 
Back to Top

 


 
.