2SK579S - описание и поиск аналогов

 

2SK579S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK579S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для 2SK579S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK579S даташит

 ..1. Size:286K  inchange semiconductor
 2sk579s.pdf pdf_icon

2SK579S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK579S FEATURES Drain Current I = 1.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 450V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 5.5 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

 8.1. Size:49K  hitachi
 2sk579 2sk580.pdf pdf_icon

2SK579S

 8.2. Size:354K  inchange semiconductor
 2sk579l.pdf pdf_icon

2SK579S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK579L FEATURES Drain Current I = 1.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 450V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 5.5 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

 9.1. Size:232K  toshiba
 2sk578.pdf pdf_icon

2SK579S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4563GM , AP4569GD , 2SK56 , 2SK559 , 2SK560 , 2SK578 , 2SK579L , 2SK580L , AON6380 , 2SK580S , 2SK583 , 2SK620 , 2SK655 , 2SK656 , 2SK657 , AP4569GH , AP4569GM .

History: IRF8714G | WMK099N10LG2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.