2SK579S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK579S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для 2SK579S
2SK579S Datasheet (PDF)
2sk579s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK579SFEATURESDrain Current : I = 1.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.5(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno
2sk579l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK579LFEATURESDrain Current : I = 1.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 450V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.5(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno
Другие MOSFET... AP4563GM , AP4569GD , 2SK56 , 2SK559 , 2SK560 , 2SK578 , 2SK579L , 2SK580L , AON7506 , 2SK580S , 2SK583 , 2SK620 , 2SK655 , 2SK656 , 2SK657 , AP4569GH , AP4569GM .
History: JMSH1008PE | WMLL020N08HGS | WMO80R480S | JMSH1008PK | JMSH1008PC | WPMD2012 | STL60N10F7
History: JMSH1008PE | WMLL020N08HGS | WMO80R480S | JMSH1008PK | JMSH1008PC | WPMD2012 | STL60N10F7



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955