AP4569GM Todos los transistores

 

AP4569GM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4569GM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8(4.2) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9(8) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70(80) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036(0.068) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP4569GM Datasheet (PDF)

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AP4569GM

AP4569GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD2D2 Fast Switching Performance RDS(ON) 36mD1D1 RoHS Compliant ID 5.8AG2P-CH BVDSS -40VS2G1S1SO-8RDS(ON) 68mDescription ID -4.2AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the be

 7.1. Size:117K  ape
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AP4569GM

AP4569GHPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 42m Fast Switching Performance ID 10.5AS1G1 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40VS2G2RDS(ON) 75mTO-252-4LDescription ID -8AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide t

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AP4569GM

AP4569GDPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2Low Gate Charge N-CH BVDSS 40V D2D1D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 52m PDIP-8 Package ID 4.8AG2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40VS2PDIP-8G1RDS(ON) 90mS1Description ID -3.8AThe

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AP4569GM

AP4563GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 8AS1G1S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40VG2RDS(ON) 36mTO-252-4LDescription ID -7.3AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the de

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History: IPU80R2K4P7

 

 
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