2SK659 Todos los transistores

 

2SK659 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK659

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: TO220

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2SK659 datasheet

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2SK659

 ..2. Size:278K  inchange semiconductor
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2SK659

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK659 FEATURES Drain Current I = 12A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 75m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid

 9.1. Size:136K  nec
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2SK659

 9.2. Size:33K  panasonic
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2SK659

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK655 2SK655 Silicon N-Channel MOS Unit mm For switching 4.0 0.2 Features High-speed switching Radial taping possible marking 1 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1.27 1.27 Symbol Unit Parameter Rating 2.54 0.15 1 Source VDS V Drain-Source voltage 50 2 Drain VGSO V Gate-Source voltage 8 3 Gate ID mA Drain current

Otros transistores... 2SK2552 , 2SK2645-01MR , 2SK2654-01 , 2SK2761-01MR , 2SK2765-01 , 2SK3496-01MR , 2SK3683-01MR , 2SK4075 , IRF830 , AP4880BGM-HF , AP4880GM , AP4920GM-HF , AP4924GM , AP4933GM-HF , AP4936GM , AP4951GM , AP4951GM-HF .

History: 2SK4067D | DMN3018SSS | SVS5N70D | STP605D | NDF02N60ZG | VN0360ND | NDP06N60Z

 

 

 

 

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