2SK659 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK659
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для 2SK659
2SK659 Datasheet (PDF)
2sk659.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK659FEATURESDrain Current : I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 75m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid
2sk655.pdf

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK6552SK655Silicon N-Channel MOSUnit : mmFor switching4.0 0.2 Features High-speed switching Radial taping possiblemarking1 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)1.27 1.27Symbol UnitParameter Rating2.54 0.151 : SourceVDS VDrain-Source voltage 502 : DrainVGSO VGate-Source voltage 83 : GateID mADrain current
Другие MOSFET... 2SK2552 , 2SK2645-01MR , 2SK2654-01 , 2SK2761-01MR , 2SK2765-01 , 2SK3496-01MR , 2SK3683-01MR , 2SK4075 , IRF1405 , AP4880BGM-HF , AP4880GM , AP4920GM-HF , AP4924GM , AP4933GM-HF , AP4936GM , AP4951GM , AP4951GM-HF .
History: PJW1NA80
History: PJW1NA80



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor