Справочник MOSFET. 2SK659

 

2SK659 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK659
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SK659

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK659 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:135K  nec
2sk659.pdfpdf_icon

2SK659

 ..2. Size:278K  inchange semiconductor
2sk659.pdfpdf_icon

2SK659

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK659FEATURESDrain Current : I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 75m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

 9.1. Size:136K  nec
2sk654.pdfpdf_icon

2SK659

 9.2. Size:33K  panasonic
2sk655.pdfpdf_icon

2SK659

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK6552SK655Silicon N-Channel MOSUnit : mmFor switching4.0 0.2 Features High-speed switching Radial taping possiblemarking1 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)1.27 1.27Symbol UnitParameter Rating2.54 0.151 : SourceVDS VDrain-Source voltage 502 : DrainVGSO VGate-Source voltage 83 : GateID mADrain current

Другие MOSFET... 2SK2552 , 2SK2645-01MR , 2SK2654-01 , 2SK2761-01MR , 2SK2765-01 , 2SK3496-01MR , 2SK3683-01MR , 2SK4075 , IRF1405 , AP4880BGM-HF , AP4880GM , AP4920GM-HF , AP4924GM , AP4933GM-HF , AP4936GM , AP4951GM , AP4951GM-HF .

History: PJW1NA80

 

 
Back to Top

 


 
.