FRF9150H Todos los transistores

 

FRF9150H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FRF9150H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 620 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

FRF9150H Datasheet (PDF)

 7.1. Size:48K  intersil
 frf9150.pdf pdf_icon

FRF9150H

FRF9150D, FRF9150R,FRF9150H23A, -100V, 0.140 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 23A, -100V, rDS(ON) = 0.140TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design ConceptsG Gamma - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)SD- Defined End Point Specs at 300K RAD (Si) and 1000K RAD (Si)- Performance Permits Limited

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History: FTK5N80DD | CSD85312Q3E | BUK7616-55A | AP98T03GP-HF

 

 
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