FRF9150H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FRF9150H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 23 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 620 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254AA
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FRF9150H Datasheet (PDF)
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FRF9150D, FRF9150R,FRF9150H23A, -100V, 0.140 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 23A, -100V, rDS(ON) = 0.140TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design ConceptsG Gamma - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)SD- Defined End Point Specs at 300K RAD (Si) and 1000K RAD (Si)- Performance Permits Limited
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