FRF9150H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FRF9150H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 620 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: TO254AA

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FRF9150H datasheet

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FRF9150H

FRF9150D, FRF9150R, FRF9150H 23A, -100V, 0.140 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 23A, -100V, rDS(ON) = 0.140 TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts G Gamma - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) S D - Defined End Point Specs at 300K RAD (Si) and 1000K RAD (Si) - Performance Permits Limited

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