FRF9150H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRF9150H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 620 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для FRF9150H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRF9150H даташит

 7.1. Size:48K  intersil
 frf9150.pdf pdf_icon

FRF9150H

FRF9150D, FRF9150R, FRF9150H 23A, -100V, 0.140 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 23A, -100V, rDS(ON) = 0.140 TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts G Gamma - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) S D - Defined End Point Specs at 300K RAD (Si) and 1000K RAD (Si) - Performance Permits Limited

Другие IGBT... FRF250R, FRF254D, FRF254H, FRF254R, FRF450D, FRF450H, FRF450R, FRF9150D, 5N65, FRF9150R, FRF9250D, FRF9250H, FRF9250R, FRK150D, FRK150H, FRK150R, FRK160D