Справочник MOSFET. FRF9150H

 

FRF9150H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRF9150H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 620 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
 

 Аналог (замена) для FRF9150H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRF9150H Datasheet (PDF)

 7.1. Size:48K  intersil
 frf9150.pdf pdf_icon

FRF9150H

FRF9150D, FRF9150R,FRF9150H23A, -100V, 0.140 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 23A, -100V, rDS(ON) = 0.140TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design ConceptsG Gamma - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)SD- Defined End Point Specs at 300K RAD (Si) and 1000K RAD (Si)- Performance Permits Limited

Другие MOSFET... FRF250R , FRF254D , FRF254H , FRF254R , FRF450D , FRF450H , FRF450R , FRF9150D , 4435 , FRF9150R , FRF9250D , FRF9250H , FRF9250R , FRK150D , FRK150H , FRK150R , FRK160D .

 

 
Back to Top

 


 
.