2SK727-01 Todos los transistores

 

2SK727-01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK727-01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: SC-65

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2SK727-01 datasheet

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2SK727-01

 8.2. Size:236K  inchange semiconductor
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2SK727-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK727 DESCRIPTION Drain Current I =5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =900V(Min) DSS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC motor c

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2SK727-01

 9.2. Size:161K  nec
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2SK727-01

Otros transistores... 2SK662 , 2SK663 , 2SK664 , 2SK665 , 2SK669 , 2SK704 , 2SK709 , 2SK720A , 10N65 , 2SK787 , AP6680AGM , AP6680BGM-HF , AP6680BGYT-HF , AP6680CGYT-HF , AP6680SGYT-HF , AP6683GYT-HF , AP6800GEO .

 

 

 

 

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