2SK727-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK727-01
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-65
Búsqueda de reemplazo de 2SK727-01 MOSFET
2SK727-01 Datasheet (PDF)
2sk727.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK727DESCRIPTIONDrain Current I =5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =900V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor c
Otros transistores... 2SK662 , 2SK663 , 2SK664 , 2SK665 , 2SK669 , 2SK704 , 2SK709 , 2SK720A , STP80NF70 , 2SK787 , AP6680AGM , AP6680BGM-HF , AP6680BGYT-HF , AP6680CGYT-HF , AP6680SGYT-HF , AP6683GYT-HF , AP6800GEO .
History: FIR4N80FG | AP4N1R8CMT-A | 1N60G-TM3-T | 2SK2025 | AM6602 | PDN2318S | IPB180N04S3-02
History: FIR4N80FG | AP4N1R8CMT-A | 1N60G-TM3-T | 2SK2025 | AM6602 | PDN2318S | IPB180N04S3-02



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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