Справочник MOSFET. 2SK727-01

 

2SK727-01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK727-01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SC-65
 

 Аналог (замена) для 2SK727-01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK727-01 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:33K  fuji
2sk727.pdfpdf_icon

2SK727-01

 8.2. Size:236K  inchange semiconductor
2sk727.pdfpdf_icon

2SK727-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK727DESCRIPTIONDrain Current I =5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =900V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned especially for high voltage,high speed applications,such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DCmotor c

 9.1. Size:133K  1
2sk724.pdfpdf_icon

2SK727-01

 9.2. Size:161K  nec
2sk720a.pdfpdf_icon

2SK727-01

Другие MOSFET... 2SK662 , 2SK663 , 2SK664 , 2SK665 , 2SK669 , 2SK704 , 2SK709 , 2SK720A , STP80NF70 , 2SK787 , AP6680AGM , AP6680BGM-HF , AP6680BGYT-HF , AP6680CGYT-HF , AP6680SGYT-HF , AP6683GYT-HF , AP6800GEO .

History: TPC8301 | DMG6301UDW | UF1404 | IRF6619 | RJK5026DPE | 2SK2508

 

 
Back to Top

 


 
.