2SK727-01 - описание и поиск аналогов

 

2SK727-01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK727-01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SC-65

Аналог (замена) для 2SK727-01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK727-01 даташит

 8.1. Size:33K  fuji
2sk727.pdfpdf_icon

2SK727-01

 8.2. Size:236K  inchange semiconductor
2sk727.pdfpdf_icon

2SK727-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK727 DESCRIPTION Drain Current I =5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =900V(Min) DSS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC motor c

 9.1. Size:133K  1
2sk724.pdfpdf_icon

2SK727-01

 9.2. Size:161K  nec
2sk720a.pdfpdf_icon

2SK727-01

Другие MOSFET... 2SK662 , 2SK663 , 2SK664 , 2SK665 , 2SK669 , 2SK704 , 2SK709 , 2SK720A , 10N65 , 2SK787 , AP6680AGM , AP6680BGM-HF , AP6680BGYT-HF , AP6680CGYT-HF , AP6680SGYT-HF , AP6683GYT-HF , AP6800GEO .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.