AP6800GEO Todos los transistores

 

AP6800GEO MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6800GEO
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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AP6800GEO Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  ape
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AP6800GEO

AP6800GEOPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2Low on-resistance BVDSS 20V S2S2D2Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 20m G1S1Optimal DC/DC battery application S1 ID 6 TSSOP-8D1 RoHS compliantDescriptionD1 D2The Advanced Power M

 8.1. Size:165K  ape
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AP6800GEO

AP6800EYHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETS2 Simple Drive Requirement BVDSS 60VG2D1 Smaller Outline Package RDS(ON) 2D2 Surface mount package ID3 260mAG1SOT-26S1 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1 D2DescriptionG1 G2AP6800 series are from Advanced Power innovated design andsilicon proce

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History: HGK012NE6A | FDN86501LZ

 

 
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