Справочник MOSFET. AP6800GEO

 

AP6800GEO Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6800GEO
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для AP6800GEO

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6800GEO Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  ape
 ap6800geo.pdf pdf_icon

AP6800GEO

AP6800GEOPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2Low on-resistance BVDSS 20V S2S2D2Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 20m G1S1Optimal DC/DC battery application S1 ID 6 TSSOP-8D1 RoHS compliantDescriptionD1 D2The Advanced Power M

 8.1. Size:165K  ape
 ap6800ey.pdf pdf_icon

AP6800GEO

AP6800EYHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETS2 Simple Drive Requirement BVDSS 60VG2D1 Smaller Outline Package RDS(ON) 2D2 Surface mount package ID3 260mAG1SOT-26S1 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1 D2DescriptionG1 G2AP6800 series are from Advanced Power innovated design andsilicon proce

Другие MOSFET... 2SK727-01 , 2SK787 , AP6680AGM , AP6680BGM-HF , AP6680BGYT-HF , AP6680CGYT-HF , AP6680SGYT-HF , AP6683GYT-HF , IRFB31N20D , AP6900GSM , AP6901AGSM-HF , AP6901GSM-HF , 2SK800 , 2SK805 , 2SK806 , 2SK808 , 2SK808A .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.