AP6800GEO. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6800GEO

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для AP6800GEO

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6800GEO даташит

 ..1. Size:107K  ape
 ap6800geo.pdf pdf_icon

AP6800GEO

AP6800GEO Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET G2 Low on-resistance BVDSS 20V S2 S2 D2 Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 20m G1 S1 Optimal DC/DC battery application S1 ID 6 TSSOP-8 D1 RoHS compliant Description D1 D2 The Advanced Power M

 8.1. Size:165K  ape
 ap6800ey.pdf pdf_icon

AP6800GEO

AP6800EY Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET S2 Simple Drive Requirement BVDSS 60V G2 D1 Smaller Outline Package RDS(ON) 2 D2 Surface mount package ID3 260mA G1 SOT-26 S1 RoHS Compliant & Halogen-Free D1 D2 Description G1 G2 AP6800 series are from Advanced Power innovated design and silicon proce

 8.2. Size:1419K  allpower
 ap6800.pdf pdf_icon

AP6800GEO

 9.1. Size:732K  allpower
 ap6802.pdf pdf_icon

AP6800GEO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK727-01, 2SK787, AP6680AGM, AP6680BGM-HF, AP6680BGYT-HF, AP6680CGYT-HF, AP6680SGYT-HF, AP6683GYT-HF, IRF2807, AP6900GSM, AP6901AGSM-HF, AP6901GSM-HF, 2SK800, 2SK805, 2SK806, 2SK808, 2SK808A