FRF9250H Todos los transistores

 

FRF9250H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FRF9250H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 242 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.315 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

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FRF9250H Datasheet (PDF)

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FRF9250H

FRF9250D, FRF9250R,FRF9250H14A, -200V, 0.315 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 14A, -200V, RDS(on) = 0.315TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

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