FRF9250H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRF9250H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 242 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.315 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для FRF9250H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRF9250H даташит

 7.1. Size:47K  intersil
 frf9250.pdf pdf_icon

FRF9250H

FRF9250D, FRF9250R, FRF9250H 14A, -200V, 0.315 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 14A, -200V, RDS(on) = 0.315 TO-254AA Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

Другие IGBT... FRF254R, FRF450D, FRF450H, FRF450R, FRF9150D, FRF9150H, FRF9150R, FRF9250D, AON6380, FRF9250R, FRK150D, FRK150H, FRK150R, FRK160D, FRK160H, FRK160R, FRK250D