AP6910GSM-HF Todos los transistores

 

AP6910GSM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6910GSM-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30(28) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135(325) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0158 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de AP6910GSM-HF MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP6910GSM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  ape
 ap6910gsm-hf.pdf pdf_icon

AP6910GSM-HF

AP6910GSM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-resistance CH-1 BVDSS 30VS1/D2S1/D2S1/D2 Fast Switching Characteristic RDS(ON) 15.8mG1 Surface Mount Package ID 9AS2G2 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VD1SO-8 D1RDS(ON) 15.8mDescription ID 9AD1Advanced Power MOSFETs

Otros transistores... 2SK881 , 2SK882 , 2SK941 , 2SK951-MR , AP6902AGH-HF , AP6903GH-HF , AP6904GH-HF , AP6906GH-HF , IRFP064N , AP6920GMT-HF , AP6921GMT-HF , AP6922GMT-HF , AP6923GMT-HF , AP6924GEY , AP6925GY , AP6928GMT-HF , AP6930GMT-HF .

History: DMN2990UFZ | BL9N90-A | FQD6N40TM | NTMFS4841NHT1G | SVF23N50PN | LSGC06R034W3 | IPAN70R600P7S

 

 
Back to Top

 


 
.