AP6910GSM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP6910GSM-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 30(28) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135(325) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0158 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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AP6910GSM-HF Datasheet (PDF)

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ap6910gsm-hf.pdf

AP6910GSM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-resistance CH-1 BVDSS 30VS1/D2S1/D2S1/D2 Fast Switching Characteristic RDS(ON) 15.8mG1 Surface Mount Package ID 9AS2G2 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VD1SO-8 D1RDS(ON) 15.8mDescription ID 9AD1Advanced Power MOSFETs

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: