AP6910GSM-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP6910GSM-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30(28) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135(325) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0158 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AP6910GSM-HF datasheet

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AP6910GSM-HF

AP6910GSM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-resistance CH-1 BVDSS 30V S1/D2 S1/D2 S1/D2 Fast Switching Characteristic RDS(ON) 15.8m G1 Surface Mount Package ID 9A S2 G2 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30V D1 SO-8 D1 RDS(ON) 15.8m Description ID 9A D1 Advanced Power MOSFETs

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