AP6910GSM-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6910GSM-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30(28) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135(325) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0158 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP6910GSM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6910GSM-HF даташит

 ..1. Size:84K  ape
 ap6910gsm-hf.pdf pdf_icon

AP6910GSM-HF

AP6910GSM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-resistance CH-1 BVDSS 30V S1/D2 S1/D2 S1/D2 Fast Switching Characteristic RDS(ON) 15.8m G1 Surface Mount Package ID 9A S2 G2 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30V D1 SO-8 D1 RDS(ON) 15.8m Description ID 9A D1 Advanced Power MOSFETs

Другие IGBT... 2SK881, 2SK882, 2SK941, 2SK951-MR, AP6902AGH-HF, AP6903GH-HF, AP6904GH-HF, AP6906GH-HF, AO4468, AP6920GMT-HF, AP6921GMT-HF, AP6922GMT-HF, AP6923GMT-HF, AP6924GEY, AP6925GY, AP6928GMT-HF, AP6930GMT-HF