Справочник MOSFET. AP6910GSM-HF

 

AP6910GSM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6910GSM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30(28) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135(325) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0158 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AP6910GSM-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6910GSM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  ape
ap6910gsm-hf.pdfpdf_icon

AP6910GSM-HF

AP6910GSM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-resistance CH-1 BVDSS 30VS1/D2S1/D2S1/D2 Fast Switching Characteristic RDS(ON) 15.8mG1 Surface Mount Package ID 9AS2G2 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VD1SO-8 D1RDS(ON) 15.8mDescription ID 9AD1Advanced Power MOSFETs

Другие MOSFET... 2SK881 , 2SK882 , 2SK941 , 2SK951-MR , AP6902AGH-HF , AP6903GH-HF , AP6904GH-HF , AP6906GH-HF , IRFP064N , AP6920GMT-HF , AP6921GMT-HF , AP6922GMT-HF , AP6923GMT-HF , AP6924GEY , AP6925GY , AP6928GMT-HF , AP6930GMT-HF .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | 2SK1094 | QM3018D

 

 
Back to Top

 


 
.