AP6910GSM-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP6910GSM-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 30(28) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 135(325) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0158 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для AP6910GSM-HF
AP6910GSM-HF Datasheet (PDF)
ap6910gsm-hf.pdf
AP6910GSM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-resistance CH-1 BVDSS 30VS1/D2S1/D2S1/D2 Fast Switching Characteristic RDS(ON) 15.8mG1 Surface Mount Package ID 9AS2G2 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VD1SO-8 D1RDS(ON) 15.8mDescription ID 9AD1Advanced Power MOSFETs
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918