AP6930GMT-HF Todos los transistores

 

AP6930GMT-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6930GMT-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP6930GMT-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  ape
 ap6930gmt-hf.pdf pdf_icon

AP6930GMT-HF

AP6930GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10.5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 20AD1 D1 D2 D2D1D1D2DescriptionD2Advanced Power MOSFETs from APEC providethe designer with the best combination of fastswitching, rugge

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History: NCE60ND45G | STT04N20 | NCEP02T11T | TSM4N80CZ | 2SK401 | IRFS640B | JFFM13N65D

 

 
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