AP6930GMT-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP6930GMT-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.57 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: PMPAK5X6

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AP6930GMT-HF datasheet

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AP6930GMT-HF

AP6930GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10.5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 20A D1 D1 D2 D2 D1 D1 D2 Description D2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge

Otros transistores... AP6910GSM-HF, AP6920GMT-HF, AP6921GMT-HF, AP6922GMT-HF, AP6923GMT-HF, AP6924GEY, AP6925GY, AP6928GMT-HF, IRF540, AP6941GMT-HF, AP6942GMT-HF, AP6950GYT-HF, AP6970GN2-HF, AP6980GN2-HF, AP6982GM, AP6982GN2-HF, AP6983GN2-HF