AP6930GMT-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6930GMT-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP6930GMT-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6930GMT-HF даташит

 ..1. Size:103K  ape
 ap6930gmt-hf.pdf pdf_icon

AP6930GMT-HF

AP6930GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10.5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 20A D1 D1 D2 D2 D1 D1 D2 Description D2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge

Другие IGBT... AP6910GSM-HF, AP6920GMT-HF, AP6921GMT-HF, AP6922GMT-HF, AP6923GMT-HF, AP6924GEY, AP6925GY, AP6928GMT-HF, IRF540, AP6941GMT-HF, AP6942GMT-HF, AP6950GYT-HF, AP6970GN2-HF, AP6980GN2-HF, AP6982GM, AP6982GN2-HF, AP6983GN2-HF