AP6941GMT-HF Todos los transistores

 

AP6941GMT-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6941GMT-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12(8.8) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10(20) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125(180) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016(0.032) Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP6941GMT-HF Datasheet (PDF)

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AP6941GMT-HF

AP6941GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 20V Good Thermal Performance RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID 12A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VRDS(ON) 32mS1 G1 S2 G2Description ID -8.8AAP6941 series are from Advanced Power

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AP6941GMT-HF

AP6942GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V Good Thermal Performance RDS(ON) 9m Fast Switching Performance ID 15.8A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VRDS(ON) 23mS1 G1 S2 G2Description ID -10.1AAP6942 series are from Advanced Powe

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AP6941GMT-HF

AP6942GMT-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V Good Thermal Performance RDS(ON) 9m Fast Switching Performance ID 15.8A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VRDS(ON) 23mS1 G1 S2 G

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History: FCH20N60 | IPB60R190C6 | VBZE50P03 | NCE65N260F

 

 
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