AP6941GMT-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6941GMT-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12(8.8) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10(20) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125(180) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016(0.032) Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP6941GMT-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6941GMT-HF даташит

 ..1. Size:87K  ape
 ap6941gmt-hf.pdf pdf_icon

AP6941GMT-HF

AP6941GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 20V Good Thermal Performance RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID 12A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20V RDS(ON) 32m S1 G1 S2 G2 Description ID -8.8A AP6941 series are from Advanced Power

 9.1. Size:128K  ape
 ap6942gmt-hf.pdf pdf_icon

AP6941GMT-HF

AP6942GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V Good Thermal Performance RDS(ON) 9m Fast Switching Performance ID 15.8A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20V RDS(ON) 23m S1 G1 S2 G2 Description ID -10.1A AP6942 series are from Advanced Powe

 9.2. Size:161K  ape
 ap6942gmt.pdf pdf_icon

AP6941GMT-HF

AP6942GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V Good Thermal Performance RDS(ON) 9m Fast Switching Performance ID 15.8A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20V RDS(ON) 23m S1 G1 S2 G

 9.3. Size:1596K  cn apm
 ap6946a.pdf pdf_icon

AP6941GMT-HF

AP6946A 60V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6946A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =7.2A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP6920GMT-HF, AP6921GMT-HF, AP6922GMT-HF, AP6923GMT-HF, AP6924GEY, AP6925GY, AP6928GMT-HF, AP6930GMT-HF, 50N06, AP6942GMT-HF, AP6950GYT-HF, AP6970GN2-HF, AP6980GN2-HF, AP6982GM, AP6982GN2-HF, AP6983GN2-HF, AP70L02GH