AP6970GN2-HF Todos los transistores

 

AP6970GN2-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6970GN2-HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP6970GN2-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  ape
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AP6970GN2-HF

AP6970GN2-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETG2 S2D1 Lower Gate Charge BVDSS 20V Bottom Exposed DFN RDS(ON) 45m Lower Profile ID 4.5A Halogen Free & RoHS Compliant ProductS1 G1 D2DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugge

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History: SSM6N58NU | IXTQ480P2

 

 
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