AP6970GN2-HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP6970GN2-HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: DFN2X2

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AP6970GN2-HF datasheet

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AP6970GN2-HF

AP6970GN2-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET G2 S2 D1 Lower Gate Charge BVDSS 20V Bottom Exposed DFN RDS(ON) 45m Lower Profile ID 4.5A Halogen Free & RoHS Compliant Product S1 G1 D2 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge

Otros transistores... AP6923GMT-HF, AP6924GEY, AP6925GY, AP6928GMT-HF, AP6930GMT-HF, AP6941GMT-HF, AP6942GMT-HF, AP6950GYT-HF, IRF640, AP6980GN2-HF, AP6982GM, AP6982GN2-HF, AP6983GN2-HF, AP70L02GH, AP70L02GJ, AP70L02GP, AP70L02GS