AP6970GN2-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP6970GN2-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X2
Búsqueda de reemplazo de AP6970GN2-HF MOSFET
AP6970GN2-HF Datasheet (PDF)
ap6970gn2-hf.pdf

AP6970GN2-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETG2 S2D1 Lower Gate Charge BVDSS 20V Bottom Exposed DFN RDS(ON) 45m Lower Profile ID 4.5A Halogen Free & RoHS Compliant ProductS1 G1 D2DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugge
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History: SI4774DY | CHM8206JGP | WMN36N60F2 | KMB6D0DN35QA | MX2N4860 | BRF4N65S | HCS60R260ST
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Liste
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