Справочник MOSFET. AP6970GN2-HF

 

AP6970GN2-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6970GN2-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6970GN2-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  ape
 ap6970gn2-hf.pdf pdf_icon

AP6970GN2-HF

AP6970GN2-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETG2 S2D1 Lower Gate Charge BVDSS 20V Bottom Exposed DFN RDS(ON) 45m Lower Profile ID 4.5A Halogen Free & RoHS Compliant ProductS1 G1 D2DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugge

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: WMB90N02TS | TSM2N70CP | AP730P | STB12NM50N | AP10N012P | SI5406CDC | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.