AP6970GN2-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6970GN2-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2

Аналог (замена) для AP6970GN2-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6970GN2-HF даташит

 ..1. Size:101K  ape
 ap6970gn2-hf.pdf pdf_icon

AP6970GN2-HF

AP6970GN2-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET G2 S2 D1 Lower Gate Charge BVDSS 20V Bottom Exposed DFN RDS(ON) 45m Lower Profile ID 4.5A Halogen Free & RoHS Compliant Product S1 G1 D2 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge

Другие IGBT... AP6923GMT-HF, AP6924GEY, AP6925GY, AP6928GMT-HF, AP6930GMT-HF, AP6941GMT-HF, AP6942GMT-HF, AP6950GYT-HF, IRF640, AP6980GN2-HF, AP6982GM, AP6982GN2-HF, AP6983GN2-HF, AP70L02GH, AP70L02GJ, AP70L02GP, AP70L02GS