AP730P Todos los transistores

 

AP730P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP730P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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AP730P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  ape
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AP730P

AP730PAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETDynamic dv/dt Rating BVDSS 400V Repetitive Avalanche Rated RDS(ON) 1.0 Fast Switching ID 5.5A Simple Drive Requirement G DTO-220SDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDdesigner with the best comb

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History: 2SK726 | RFD7N10LESM | CHM8206JGP | AON6230 | 2SK2111 | GSM3416 | AMA930N

 

 
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