Справочник MOSFET. AP730P

 

AP730P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP730P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP730P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  ape
 ap730p.pdf pdf_icon

AP730P

AP730PAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETDynamic dv/dt Rating BVDSS 400V Repetitive Avalanche Rated RDS(ON) 1.0 Fast Switching ID 5.5A Simple Drive Requirement G DTO-220SDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDdesigner with the best comb

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SI5406CDC | KTK597 | TSM2N70CP | 2SK1016 | STB12NM50N | IRF7404PBF | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.