AP730P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP730P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для AP730P
AP730P Datasheet (PDF)
ap730p.pdf
AP730PAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETDynamic dv/dt Rating BVDSS 400V Repetitive Avalanche Rated RDS(ON) 1.0 Fast Switching ID 5.5A Simple Drive Requirement G DTO-220SDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDdesigner with the best comb
Другие MOSFET... AP70T03GP , AP70T03GS , AP72T02GJ-HF , AP72T03GH , AP72T03GI-HF , AP72T03GJ , AP72T03GP-HF , AP72T12GP-HF , 2SK3878 , AP73T02GH-HF , AP73T02GJ-HF , AP73T03AGH-HF , AP73T03AGM-HF , AP73T03AGMT-HF , AP73T03GH-HF , AP73T03GJ-HF , AP73T03GMT-HF .
History: IRL630PBF | AON1606 | AOL1482
History: IRL630PBF | AON1606 | AOL1482
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705


