Справочник MOSFET. AP730P

 

AP730P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP730P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для AP730P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP730P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  ape
 ap730p.pdf pdf_icon

AP730P

AP730PAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETDynamic dv/dt Rating BVDSS 400V Repetitive Avalanche Rated RDS(ON) 1.0 Fast Switching ID 5.5A Simple Drive Requirement G DTO-220SDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDdesigner with the best comb

Другие MOSFET... AP70T03GP , AP70T03GS , AP72T02GJ-HF , AP72T03GH , AP72T03GI-HF , AP72T03GJ , AP72T03GP-HF , AP72T12GP-HF , IRFP260 , AP73T02GH-HF , AP73T02GJ-HF , AP73T03AGH-HF , AP73T03AGM-HF , AP73T03AGMT-HF , AP73T03GH-HF , AP73T03GJ-HF , AP73T03GMT-HF .

History: STW35N60DM2 | NDT2N60P | KHB4D0N65F | OSG60R030HTZF | 2SK795 | IPD90N10S4L-06

 

 
Back to Top

 


 
.