AP730P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP730P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AP730P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP730P даташит

 ..1. Size:79K  ape
 ap730p.pdf pdf_icon

AP730P

AP730P Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Dynamic dv/dt Rating BVDSS 400V Repetitive Avalanche Rated RDS(ON) 1.0 Fast Switching ID 5.5A Simple Drive Requirement G D TO-220 S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D designer with the best comb

Другие IGBT... AP70T03GP, AP70T03GS, AP72T02GJ-HF, AP72T03GH, AP72T03GI-HF, AP72T03GJ, AP72T03GP-HF, AP72T12GP-HF, 2SK3878, AP73T02GH-HF, AP73T02GJ-HF, AP73T03AGH-HF, AP73T03AGM-HF, AP73T03AGMT-HF, AP73T03GH-HF, AP73T03GJ-HF, AP73T03GMT-HF