AP80N30W Todos los transistores

 

AP80N30W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP80N30W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 525 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.066 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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AP80N30W Datasheet (PDF)

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AP80N30W

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 9.1. Size:570K  1
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AP80N30W

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AP80N30W

AP80N03GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 8m Simple Drive Requirement ID 80AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP80N03 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the low

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History: LND20N65 | RRH075P03 | 2SK2885 | STH240N75F3-2 | LND20N60 | TSA82N30M | IPA50R280CE

 

 
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