Справочник MOSFET. AP80N30W

 

AP80N30W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP80N30W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 525 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для AP80N30W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80N30W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ape
 ap80n30w.pdf pdf_icon

AP80N30W

AP80N30WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 300V Lower On-resistance RDS(ON) 66m High Speed Switching ID 36AGSDescriptionAP80N30 from APEC provide the designer with the best combination offast switching, low on-resistance and cost-effectiveness.GThe TO-3P package is

 9.1. Size:570K  1
 ap80n04q.pdf pdf_icon

AP80N30W

 9.2. Size:1965K  1
 ap80n04g.pdf pdf_icon

AP80N30W

 9.3. Size:175K  ape
 ap80n03gp.pdf pdf_icon

AP80N30W

AP80N03GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 8m Simple Drive Requirement ID 80AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP80N03 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP75T10AGP , AP75T10BGP-HF , AP75T10GI-HF , AP75T10GP-HF , AP75T10GS , AP75T12GI-HF , AP75T12GP-HF , AP78T10GP-HF , IRF1407 , AP80T10GP-HF , AP80T10GR-HF , AP83T02GH-HF , AP83T02GJ-HF , AP83T03AGH-HF , AP83T03AGMT-HF , AP83T03GH-HF , AP83T03GJ-HF .

History: BRCS120P03ZC

 

 
Back to Top

 


 
.