AP88N30W Todos los transistores

 

AP88N30W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP88N30W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 142 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1775 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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AP88N30W Datasheet (PDF)

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AP88N30W

AP88N30WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 300V Lower On-resistance RDS(ON) 48m High Speed Switching ID 88AGSDescriptionAP88N30 from APEC provide the designer with the best combination of fastswitching , low on-resistance and cost-effectiveness .The TO-3P package is pr

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History: TPCC8103 | BL18N20-P | IPS031N03LG | NVD5890NL | BUK9M9R1-40E | QS5U26 | NX138BKS

 

 
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