AP88N30W Todos los transistores

 

AP88N30W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP88N30W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 142 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1775 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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AP88N30W Datasheet (PDF)

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AP88N30W

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History: KP819AC | IPD50N12S3L-15 | MMFT5P03HDT1 | CS3N50DU | PHX27NQ11T | IRF6714M | CS3N65F

 

 
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