AP88N30W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP88N30W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 142 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1775 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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AP88N30W datasheet

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AP88N30W

AP88N30W RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 300V Lower On-resistance RDS(ON) 48m High Speed Switching ID 88A G S Description AP88N30 from APEC provide the designer with the best combination of fast switching , low on-resistance and cost-effectiveness . The TO-3P package is pr

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