Справочник MOSFET. AP88N30W

 

AP88N30W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP88N30W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 142 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1775 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP88N30W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  ape
 ap88n30w.pdf pdf_icon

AP88N30W

AP88N30WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 300V Lower On-resistance RDS(ON) 48m High Speed Switching ID 88AGSDescriptionAP88N30 from APEC provide the designer with the best combination of fastswitching , low on-resistance and cost-effectiveness .The TO-3P package is pr

Другие MOSFET... AP85U03GH-HF , AP85U03GM-HF , AP85U03GMT-HF , AP85U03GP-HF , AP86T02GH-HF , AP86T02GJ-HF , AP86T03GH , AP86T03GJ , RU7088R , AP90T03GH , AP90T03GI , AP90T03GJ , AP90T03GR , AP90T03GS-HF , AP90T03P , AP90T06GP-HF , AP9120AGH-HF .

 

 
Back to Top

 


 
.