AP88N30W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP88N30W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 142 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1775 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для AP88N30W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP88N30W даташит

 ..1. Size:104K  ape
 ap88n30w.pdf pdf_icon

AP88N30W

AP88N30W RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 300V Lower On-resistance RDS(ON) 48m High Speed Switching ID 88A G S Description AP88N30 from APEC provide the designer with the best combination of fast switching , low on-resistance and cost-effectiveness . The TO-3P package is pr

Другие IGBT... AP85U03GH-HF, AP85U03GM-HF, AP85U03GMT-HF, AP85U03GP-HF, AP86T02GH-HF, AP86T02GJ-HF, AP86T03GH, AP86T03GJ, IRFZ48N, AP90T03GH, AP90T03GI, AP90T03GJ, AP90T03GR, AP90T03GS-HF, AP90T03P, AP90T06GP-HF, AP9120AGH-HF