Справочник MOSFET. AP88N30W

 

AP88N30W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP88N30W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 142 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1775 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP88N30W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  ape
 ap88n30w.pdf pdf_icon

AP88N30W

AP88N30WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 300V Lower On-resistance RDS(ON) 48m High Speed Switching ID 88AGSDescriptionAP88N30 from APEC provide the designer with the best combination of fastswitching , low on-resistance and cost-effectiveness .The TO-3P package is pr

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRLU014NPBF | ZXMN2F30FHTA | 2SK3572-Z | HGD045NE4SL | MMN4414 | TMP16N25Z | SFP055N100BC2

 

 
Back to Top

 


 
.