AP9510GM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP9510GM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9(5.3) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7(8) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160(180) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028(0.055) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP9510GM

AP9510GM Datasheet (PDF)

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ap9510gm.pdf

AP9510GMPb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETSimple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2D2Low On-resistance RDS(ON) 28m D1D1Fast Switching Performance ID 6.9A G2P-CH BVDSS -30VS2G1SO-8 S1RDS(ON) 55mDescription ID -5.3AThe Advanced Power

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Liste

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