AP9510GM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP9510GM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9(5.3) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7(8) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160(180) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028(0.055) Ohm

Encapsulados: SO-8

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AP9510GM datasheet

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AP9510GM

AP9510GM Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 28m D1 D1 Fast Switching Performance ID 6.9A G2 P-CH BVDSS -30V S2 G1 SO-8 S1 RDS(ON) 55m Description ID -5.3A The Advanced Power

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