Справочник MOSFET. AP9510GM

 

AP9510GM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP9510GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9(5.3) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7(8) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160(180) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.055) Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для AP9510GM

 

 

AP9510GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  ape
 ap9510gm.pdf

AP9510GM AP9510GM

AP9510GMPb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETSimple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2D2Low On-resistance RDS(ON) 28m D1D1Fast Switching Performance ID 6.9A G2P-CH BVDSS -30VS2G1SO-8 S1RDS(ON) 55mDescription ID -5.3AThe Advanced Power

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top