AP9510GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9510GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9(5.3) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7(8) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160(180) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.055) Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AP9510GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9510GM даташит

 ..1. Size:96K  ape
 ap9510gm.pdf pdf_icon

AP9510GM

AP9510GM Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 28m D1 D1 Fast Switching Performance ID 6.9A G2 P-CH BVDSS -30V S2 G1 SO-8 S1 RDS(ON) 55m Description ID -5.3A The Advanced Power

Другие IGBT... AP9479GM-HF, AP9487GM-HF, AP94T07GH-HF, AP94T07GJ-HF, AP94T07GMT-HF, AP94T07GP1-HF, AP94T07GP-HF, AP94T07GS-HF, MMIS60R580P, AP9560GH-HF, AP9560GP-HF, AP9560GS-HF, AP9561AGH-HF, AP9561AGI-HF, AP9561AGJ-HF, AP9561AGM-HF, AP9561GH-HF