Справочник MOSFET. AP9510GM

 

AP9510GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9510GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9(5.3) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7(8) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160(180) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.055) Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AP9510GM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9510GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  ape
 ap9510gm.pdf pdf_icon

AP9510GM

AP9510GMPb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETSimple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2D2Low On-resistance RDS(ON) 28m D1D1Fast Switching Performance ID 6.9A G2P-CH BVDSS -30VS2G1SO-8 S1RDS(ON) 55mDescription ID -5.3AThe Advanced Power

Другие MOSFET... AP9479GM-HF , AP9487GM-HF , AP94T07GH-HF , AP94T07GJ-HF , AP94T07GMT-HF , AP94T07GP1-HF , AP94T07GP-HF , AP94T07GS-HF , 2N7002 , AP9560GH-HF , AP9560GP-HF , AP9560GS-HF , AP9561AGH-HF , AP9561AGI-HF , AP9561AGJ-HF , AP9561AGM-HF , AP9561GH-HF .

History: AOT416 | TTD30P03AT | STR2P3LLH6 | PJP6NA40 | STRH12P10 | NCEP016N60VD | IAUS180N04S4N015

 

 
Back to Top

 


 
.