FRK9160H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FRK9160H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 900 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: TO204AE

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FRK9160H datasheet

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FRK9160H

FRK9160D, FRK9160R, FRK9160H 40A, -100V, 0.085 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 40A, -100V, RDS(on) = 0.085 TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

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FRK9160H

FRK9150D, FRK9150R, FRK9150H 26A, -100V, 0.125 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 26A, -100V, RDS(on) = 0.125 TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

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