FRK9160H Todos los transistores

 

FRK9160H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FRK9160H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 900 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204AE
 

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FRK9160H Datasheet (PDF)

 7.1. Size:53K  intersil
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FRK9160H

FRK9160D, FRK9160R,FRK9160H40A, -100V, 0.085 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 40A, -100V, RDS(on) = 0.085TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

 9.1. Size:54K  intersil
 frk9150.pdf pdf_icon

FRK9160H

FRK9150D, FRK9150R,FRK9150H26A, -100V, 0.125 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 26A, -100V, RDS(on) = 0.125TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

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History: SML60S16 | PHP10N10E | IRLML6401 | STU402D | IXTH42N15MA

 

 
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