FRK9160H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FRK9160H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 900 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO204AE
Búsqueda de reemplazo de FRK9160H MOSFET
FRK9160H Datasheet (PDF)
frk9160.pdf
FRK9160D, FRK9160R,FRK9160H40A, -100V, 0.085 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 40A, -100V, RDS(on) = 0.085TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD
frk9150.pdf
FRK9150D, FRK9150R,FRK9150H26A, -100V, 0.125 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 26A, -100V, RDS(on) = 0.125TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD
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History: NCE65N520D | SVS7N70SD2 | STL15N65M5
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Liste
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