FRK9160H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRK9160H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 900 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO204AE

Аналог (замена) для FRK9160H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRK9160H даташит

 7.1. Size:53K  intersil
 frk9160.pdf pdf_icon

FRK9160H

FRK9160D, FRK9160R, FRK9160H 40A, -100V, 0.085 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 40A, -100V, RDS(on) = 0.085 TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

 9.1. Size:54K  intersil
 frk9150.pdf pdf_icon

FRK9160H

FRK9150D, FRK9150R, FRK9150H 26A, -100V, 0.125 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 26A, -100V, RDS(on) = 0.125 TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

Другие IGBT... FRK264R, FRK460D, FRK460H, FRK460R, FRK9150D, FRK9150H, FRK9150R, FRK9160D, P60NF06, FRK9160R, FRK9260D, FRK9260H, FRK9260R, FRL130D, FRL130H, FRL130R, FRL230D