AP95N25W Todos los transistores

 

AP95N25W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP95N25W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 92 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1505 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP95N25W Datasheet (PDF)

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AP95N25W

AP95N25WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 250V Lower On-resistance RDS(ON) 55m High Speed Switching ID 50AGSDescriptionAP95N25 from APEC provide the designer with the best combination of fastswitching , low on-resistance and cost-effectiveness .The TO-3P package is pr

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History: 2N7225U | BS170D75Z | BSP304A | CSD87352Q5D | SI4463BDY-T1 | 2N6904 | SFP045N100C3

 

 
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