AP95N25W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP95N25W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 92 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1505 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de AP95N25W MOSFET
AP95N25W Datasheet (PDF)
ap95n25w.pdf
AP95N25WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 250V Lower On-resistance RDS(ON) 55m High Speed Switching ID 50AGSDescriptionAP95N25 from APEC provide the designer with the best combination of fastswitching , low on-resistance and cost-effectiveness .The TO-3P package is pr
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History: FDBL86366-F085 | SQ7414AENW | NP84N055CHE | RJK0601DPN-E0 | STP150N3LLH6 | NP160N055TUJ
History: FDBL86366-F085 | SQ7414AENW | NP84N055CHE | RJK0601DPN-E0 | STP150N3LLH6 | NP160N055TUJ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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