AP95N25W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP95N25W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 92 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1505 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
AP95N25W Datasheet (PDF)
ap95n25w.pdf
AP95N25WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 250V Lower On-resistance RDS(ON) 55m High Speed Switching ID 50AGSDescriptionAP95N25 from APEC provide the designer with the best combination of fastswitching , low on-resistance and cost-effectiveness .The TO-3P package is pr
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918