Справочник MOSFET. AP95N25W

 

AP95N25W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP95N25W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 92 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1505 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP95N25W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  ape
 ap95n25w.pdf pdf_icon

AP95N25W

AP95N25WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 250V Lower On-resistance RDS(ON) 55m High Speed Switching ID 50AGSDescriptionAP95N25 from APEC provide the designer with the best combination of fastswitching , low on-resistance and cost-effectiveness .The TO-3P package is pr

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.