AP95N25W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP95N25W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 92 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1505 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для AP95N25W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP95N25W даташит

 ..1. Size:59K  ape
 ap95n25w.pdf pdf_icon

AP95N25W

AP95N25W RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 250V Lower On-resistance RDS(ON) 55m High Speed Switching ID 50A G S Description AP95N25 from APEC provide the designer with the best combination of fast switching , low on-resistance and cost-effectiveness . The TO-3P package is pr

Другие IGBT... AP9581GS-HF, AP9585GH, AP9585GJ, AP9585GM, AP9585GM-HF, AP9587GH-HF, AP9587GJ-HF, AP9591GP-HF, 75N75, AP95T06AGP, AP95T06BGP, AP95T06GP-HF, AP95T06GS-HF, AP95T07AGP-HF, AP95T07BGP-HF, AP95T07BGS-HF, AP95T07GP-HF