Справочник MOSFET. AP95N25W

 

AP95N25W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP95N25W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 92 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1505 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для AP95N25W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP95N25W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  ape
 ap95n25w.pdf pdf_icon

AP95N25W

AP95N25WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 250V Lower On-resistance RDS(ON) 55m High Speed Switching ID 50AGSDescriptionAP95N25 from APEC provide the designer with the best combination of fastswitching , low on-resistance and cost-effectiveness .The TO-3P package is pr

Другие MOSFET... AP9581GS-HF , AP9585GH , AP9585GJ , AP9585GM , AP9585GM-HF , AP9587GH-HF , AP9587GJ-HF , AP9591GP-HF , IRF520 , AP95T06AGP , AP95T06BGP , AP95T06GP-HF , AP95T06GS-HF , AP95T07AGP-HF , AP95T07BGP-HF , AP95T07BGS-HF , AP95T07GP-HF .

 

 
Back to Top

 


 
.