FRK9260H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FRK9260H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 800 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO204AE

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FRK9260H datasheet

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FRK9260H

FRK9260D, FRK9260R, FRK9260H 26A, -200V, 0.200 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 26A, -200V, RDS(on) = 0.200 TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

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