Справочник MOSFET. FRK9260H

 

FRK9260H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FRK9260H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 800 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO204AE
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FRK9260H Datasheet (PDF)

 7.1. Size:53K  intersil
 frk9260.pdf pdf_icon

FRK9260H

FRK9260D, FRK9260R,FRK9260H26A, -200V, 0.200 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 26A, -200V, RDS(on) = 0.200TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

Другие MOSFET... FRK460R , FRK9150D , FRK9150H , FRK9150R , FRK9160D , FRK9160H , FRK9160R , FRK9260D , EMB04N03H , FRK9260R , FRL130D , FRL130H , FRL130R , FRL230D , FRL230H , FRL230R , FRL230R4 .

History: UPA2520T1H | SIHG47N60S | AP3310GJ-HF | 9N95 | IPD040N03LG | IRFSL11N50A | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.