FRK9260H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FRK9260H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 800 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO204AE

Аналог (замена) для FRK9260H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FRK9260H даташит

 7.1. Size:53K  intersil
 frk9260.pdf pdf_icon

FRK9260H

FRK9260D, FRK9260R, FRK9260H 26A, -200V, 0.200 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Package 26A, -200V, RDS(on) = 0.200 TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si) - Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si) - Performance Permits Limited Use to 3000KRAD

Другие IGBT... FRK460R, FRK9150D, FRK9150H, FRK9150R, FRK9160D, FRK9160H, FRK9160R, FRK9260D, IRFB31N20D, FRK9260R, FRL130D, FRL130H, FRL130R, FRL230D, FRL230H, FRL230R, FRL230R4