FRK9260H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FRK9260H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 800 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO204AE
FRK9260H Datasheet (PDF)
frk9260.pdf
FRK9260D, FRK9260R,FRK9260H26A, -200V, 0.200 Ohm, Rad Hard,June 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Package 26A, -200V, RDS(on) = 0.200TO-204AE Second Generation Rad Hard MOSFET Results From New Design Concepts Gamma - Meets Pre-Rad Specifications to 100KRAD(Si)- Defined End Point Specs at 300KRAD(Si) and 1000KRAD(Si)- Performance Permits Limited Use to 3000KRAD
Другие MOSFET... FRK460R , FRK9150D , FRK9150H , FRK9150R , FRK9160D , FRK9160H , FRK9160R , FRK9260D , AO3401 , FRK9260R , FRL130D , FRL130H , FRL130R , FRL230D , FRL230H , FRL230R , FRL230R4 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918