APS04N60H-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APS04N60H-HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 620 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de APS04N60H-HF MOSFET
APS04N60H-HF Datasheet (PDF)
aps04n60h-hf.pdf

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History: IRF7457PBF | DMG9N65CTI | IRF7455PBF | IRF7453PBF | DMG7702SFG | DMG7408SFG
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Liste
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