APS04N60H-HF - аналоги и даташиты транзистора

 

APS04N60H-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: APS04N60H-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 620 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для APS04N60H-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APS04N60H-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  ape
 aps04n60h-hf.pdf pdf_icon

APS04N60H-HF

APS04N60H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 620VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.5 Simple Drive Requirement ID 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAPS04N60 series are specially designed as main switching devices foruniversal 90~265VAC off-line AC/DC con

 5.1. Size:198K  ape
 aps04n60h.pdf pdf_icon

APS04N60H-HF

APS04N60H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 620VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.5 Simple Drive Requirement ID 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAPS04N60 series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology to achieve the l

Другие MOSFET... AP9T16GH , AP9T16GJ , AP9T18GEH , AP9T18GEJ , AP9T18GH , AP9T18GJ , AP9T19GJ , APA2N70K-HF , IRF2807 , IRF830I-HF , IRF840I , 2SK3467 , 2SK3505 , 2SK3451-01MR , 2SK3326 , 2SK4101LS , 2SK4212 .

History: AP9T16GJ | AP9T18GEH

 

 
Back to Top

 


 
.