APS04N60H-HF - описание и поиск аналогов

 

APS04N60H-HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APS04N60H-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 620 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для APS04N60H-HF

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APS04N60H-HF даташит

 ..1. Size:57K  ape
 aps04n60h-hf.pdf pdf_icon

APS04N60H-HF

APS04N60H-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 620V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.5 Simple Drive Requirement ID 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description APS04N60 series are specially designed as main switching devices for universal 90 265VAC off-line AC/DC con

 5.1. Size:198K  ape
 aps04n60h.pdf pdf_icon

APS04N60H-HF

APS04N60H-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 620V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.5 Simple Drive Requirement ID 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description APS04N60 series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achieve the l

Другие MOSFET... AP9T16GH , AP9T16GJ , AP9T18GEH , AP9T18GEJ , AP9T18GH , AP9T18GJ , AP9T19GJ , APA2N70K-HF , RFP50N06 , IRF830I-HF , IRF840I , 2SK3467 , 2SK3505 , 2SK3451-01MR , 2SK3326 , 2SK4101LS , 2SK4212 .

History: 2SK3505 | APA2N70K-HF

 

 

 


 
↑ Back to Top
.