3N165 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3N165

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 125 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 300 Ohm

Encapsulados: TO-99

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3N165 datasheet

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3N165

3N165, 3N166 MONOLITHIC DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Linear Integrated Systems FEATURES VERY HIGH INPUT IMPEDANCE HIGH GATE BREAKDOWN ULTRA LOW LEAKAGE LOW CAPACITANCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1) (TA= 25 C unless otherwise noted) 1 7 C Drain-Source or Drain-Gate Voltage (NOTE 2) G1 G2 3N165 40 V 3 5 3N166 30 V D1 D2 S Transient G-S Voltage (NOTE 3) 125 V

Otros transistores... 2SK3430-S, 2SK3430-Z, 2SK3523-01R, 2SK3525-01MR, 2SK3637, 2SK4096LS, BUZ334, 3N161, IRLZ44N, 3N166, 3SK199, 3SK207, 3SK225, 3SK226, 3SK232, 3SK249, 3SK256