3N165 Todos los transistores

 

3N165 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3N165
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 125 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 300 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-99
 

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3N165 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:19K  linear-systems
 3n165 3n166.pdf pdf_icon

3N165

3N165, 3N166MONOLITHIC DUAL P-CHANNELENHANCEMENT MODE MOSFETLinear Integrated SystemsFEATURESVERY HIGH INPUT IMPEDANCEHIGH GATE BREAKDOWNULTRA LOW LEAKAGELOW CAPACITANCEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1)(TA= 25C unless otherwise noted)1 7CDrain-Source or Drain-Gate Voltage (NOTE 2)G1 G23N165 40 V3 53N166 30 VD1 D2STransient G-S Voltage (NOTE 3) 125 V

Otros transistores... 2SK3430-S , 2SK3430-Z , 2SK3523-01R , 2SK3525-01MR , 2SK3637 , 2SK4096LS , BUZ334 , 3N161 , IRFP260N , 3N166 , 3SK199 , 3SK207 , 3SK225 , 3SK226 , 3SK232 , 3SK249 , 3SK256 .

History: SM6A17NSFP | MS49P63 | DE275-201N25A | IPB100N04S2-04 | IRFS9N60APBF | LP2305LT1G | HY110N06T

 

 
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