Справочник MOSFET. 3N165

 

3N165 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3N165
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 125 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 300 Ohm
   Тип корпуса: TO-99
 

 Аналог (замена) для 3N165

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N165 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:19K  linear-systems
 3n165 3n166.pdf pdf_icon

3N165

3N165, 3N166MONOLITHIC DUAL P-CHANNELENHANCEMENT MODE MOSFETLinear Integrated SystemsFEATURESVERY HIGH INPUT IMPEDANCEHIGH GATE BREAKDOWNULTRA LOW LEAKAGELOW CAPACITANCEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1)(TA= 25C unless otherwise noted)1 7CDrain-Source or Drain-Gate Voltage (NOTE 2)G1 G23N165 40 V3 53N166 30 VD1 D2STransient G-S Voltage (NOTE 3) 125 V

Другие MOSFET... 2SK3430-S , 2SK3430-Z , 2SK3523-01R , 2SK3525-01MR , 2SK3637 , 2SK4096LS , BUZ334 , 3N161 , IRFP260N , 3N166 , 3SK199 , 3SK207 , 3SK225 , 3SK226 , 3SK232 , 3SK249 , 3SK256 .

History: NCEP020N30BQU | PHP174NQ04LT | CES2312

 

 
Back to Top

 


 
.