3N165. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3N165

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 125 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 300 Ohm

Тип корпуса: TO-99

Аналог (замена) для 3N165

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N165 даташит

 ..1. Size:19K  linear-systems
 3n165 3n166.pdf pdf_icon

3N165

3N165, 3N166 MONOLITHIC DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Linear Integrated Systems FEATURES VERY HIGH INPUT IMPEDANCE HIGH GATE BREAKDOWN ULTRA LOW LEAKAGE LOW CAPACITANCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 1) (TA= 25 C unless otherwise noted) 1 7 C Drain-Source or Drain-Gate Voltage (NOTE 2) G1 G2 3N165 40 V 3 5 3N166 30 V D1 D2 S Transient G-S Voltage (NOTE 3) 125 V

Другие IGBT... 2SK3430-S, 2SK3430-Z, 2SK3523-01R, 2SK3525-01MR, 2SK3637, 2SK4096LS, BUZ334, 3N161, IRLZ44N, 3N166, 3SK199, 3SK207, 3SK225, 3SK226, 3SK232, 3SK249, 3SK256