3SK232 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3SK232

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12.5 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Encapsulados: 2-3J1A

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3SK232 datasheet

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3SK232

3SK232 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel Dual Gate MOS Type 3SK232 TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications Unit mm Superior cross modulation performance. Low reverse transfer capacitance. C = 20 fF (typ.) rss Low noise figure. NF = 1.5dB (typ.) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDS 12.

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