3SK232. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3SK232

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12.5 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

Тип корпуса: 2-3J1A

Аналог (замена) для 3SK232

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3SK232 даташит

 ..1. Size:138K  toshiba
 3sk232.pdf pdf_icon

3SK232

3SK232 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel Dual Gate MOS Type 3SK232 TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications Unit mm Superior cross modulation performance. Low reverse transfer capacitance. C = 20 fF (typ.) rss Low noise figure. NF = 1.5dB (typ.) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDS 12.

Другие IGBT... BUZ334, 3N161, 3N165, 3N166, 3SK199, 3SK207, 3SK225, 3SK226, IRF3710, 3SK249, 3SK256, 3SK257, 3SK258, 3SK259, 3SK260, 3SK291, 3SK292