Справочник MOSFET. 3SK232

 

3SK232 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3SK232
   Маркировка: UO
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12.5 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Тип корпуса: 2-3J1A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

3SK232 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  toshiba
 3sk232.pdf pdf_icon

3SK232

3SK232 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel Dual Gate MOS Type 3SK232 TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications Unit: mm Superior cross modulation performance. Low reverse transfer capacitance.: C = 20 fF (typ.) rss Low noise figure.: NF = 1.5dB (typ.) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS 12.

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRFS331 | IRFS251 | AOC2802

 

 
Back to Top

 


 
.