3SK249 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3SK249
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12.5 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Paquete / Cubierta: 2-2K1B

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3SK249

3SK249 Datasheet (PDF)

..1. Size:187K toshiba
3sk249.pdf

3SK249 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Dual Gate MOS Type 3SK249 TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications Unit: mm Superior cross modulation performance. Low reverse transfer capacitance: C = 20 fF (typ.) rss Low noise figure.: NF = 1.5dB (typ.) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS 12.5

9.1. Size:69K sanyo
3sk248.pdf

Ordering number:ENN4540N-Channel Enhancement Silicon MOSFET3SK248Muting/Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions MOSFET with a back gate terminal.unit:mm Enhancement type.2100A Small ON resistance.[3SK248] Small-sized package permitting 3SK248-applied sets1.9to be made smaller and slimmer.0.95 0.950.40.164 30 to 0.11 20.60.95 0.85

9.2. Size:30K panasonic
3sk241.pdf

High Frequency FETs 3SK2413SK241GaAs N-Channel MESUnit : mmFor VHF-UHF amplification+0.22.8 0.3+0.20.65 0.15 1.5 0.3 0.65 0.15 Features Low noise-figure (NF)0.5R4 1 Large power gain PG Downsizing of sets by mini power package and automatic insertionby taping/magazine packing are available.3 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Parameter Symbol Rat

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: