Справочник MOSFET. 3SK249

 

3SK249 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3SK249
   Маркировка: UO
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12.5 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Тип корпуса: 2-2K1B
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

3SK249 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  toshiba
 3sk249.pdf pdf_icon

3SK249

3SK249 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Dual Gate MOS Type 3SK249 TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications Unit: mm Superior cross modulation performance. Low reverse transfer capacitance: C = 20 fF (typ.) rss Low noise figure.: NF = 1.5dB (typ.) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS 12.5

 9.1. Size:69K  sanyo
 3sk248.pdf pdf_icon

3SK249

Ordering number:ENN4540N-Channel Enhancement Silicon MOSFET3SK248Muting/Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions MOSFET with a back gate terminal.unit:mm Enhancement type.2100A Small ON resistance.[3SK248] Small-sized package permitting 3SK248-applied sets1.9to be made smaller and slimmer.0.95 0.950.40.164 30 to 0.11 20.60.95 0.85

 9.2. Size:30K  panasonic
 3sk241.pdf pdf_icon

3SK249

High Frequency FETs 3SK2413SK241GaAs N-Channel MESUnit : mmFor VHF-UHF amplification+0.22.8 0.3+0.20.65 0.15 1.5 0.3 0.65 0.15 Features Low noise-figure (NF)0.5R4 1 Large power gain PG Downsizing of sets by mini power package and automatic insertionby taping/magazine packing are available.3 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Parameter Symbol Rat

Другие MOSFET... 3N161 , 3N165 , 3N166 , 3SK199 , 3SK207 , 3SK225 , 3SK226 , 3SK232 , IRFB4227 , 3SK256 , 3SK257 , 3SK258 , 3SK259 , 3SK260 , 3SK291 , 3SK292 , 3SK293 .

 

 
Back to Top

 


 
.