2N4338 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N4338
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 1 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2500 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-18
Búsqueda de reemplazo de 2N4338 MOSFET
2N4338 Datasheet (PDF)
2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdf
2N4338/4339/4340/4341Vishay SiliconixN-Channel JFETsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Max (mA)2N4338 -0.3 to -1 -50 0.6 0.62N4339 -0.6 to -1.8 -50 0.8 1.52N4340 -1 to -3 -50 1.3 3.62N4341 -2 to -6 -50 2 9FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low Cutoff Voltage: 2N4338
2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdf
N-Channel JFETLow Noise AmplifierCORPORATION2N4338 2N4341FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise noted)A Exceptionally High Figure of Merit Radiation Immunity Gate-Source or Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -50V Extremely Low Noise and Capacitance Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Otros transistores... 2N4220 , 2N4221 , 2N4222 , 2N4220A , 2N4221A , 2N4222A , 2N4223 , 2N4224 , IRF830 , 2N4339 , 2N4340 , 2N4341 , 2N4351 , 2N4352 , 2N4856A , 2N4857A , 2N4858A .
History: KND3306B
History: KND3306B
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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