2N4338 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N4338
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2500 Ohm
Тип корпуса: TO-18
2N4338 Datasheet (PDF)
2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdf
2N4338/4339/4340/4341Vishay SiliconixN-Channel JFETsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Max (mA)2N4338 -0.3 to -1 -50 0.6 0.62N4339 -0.6 to -1.8 -50 0.8 1.52N4340 -1 to -3 -50 1.3 3.62N4341 -2 to -6 -50 2 9FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low Cutoff Voltage: 2N4338
2n4338 2n4339 2n4340 2n4341.pdf
N-Channel JFETLow Noise AmplifierCORPORATION2N4338 2N4341FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise noted)A Exceptionally High Figure of Merit Radiation Immunity Gate-Source or Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -50V Extremely Low Noise and Capacitance Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918