2N5020 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N5020
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.0012 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Paquete / Cubierta: TO-18

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N5020

2N5020 Datasheet (PDF)

..1. Size:89K interfet
2n5020 2n5021.pdf

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-18B-18 01/992N5020, 2N5021P-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Analog SwitchesReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 VContinuous Forward Gate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 500 mWPower Derating 4 mW/CStorage Temperature Range 65C to + 200CA

9.1. Size:73K central
2n5022 2n5023.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

Otros transistores... 2N4860A , 2N4861A , 2N4867 , 2N4868 , 2N4869 , 2N4867A , 2N4868A , 2N4869A , IRF540 , 2N5021 , 2N5114 , 2N5115 , 2N5116 , 2N5196 , 2N5197 , 2N5198 , 2N5199 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: