2N5020 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5020

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 1.5 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.0012 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Encapsulados: TO-18

 Búsqueda de reemplazo de 2N5020 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2N5020 datasheet

 ..1. Size:89K  interfet
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2N5020

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-18 B-18 01/99 2N5020, 2N5021 P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Analog Switches Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Continuous Forward Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 500 mW Power Derating 4 mW/ C Storage Temperature Range 65 C to + 200 C A

 9.1. Size:73K  central
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2N5020

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

Otros transistores... 2N4860A, 2N4861A, 2N4867, 2N4868, 2N4869, 2N4867A, 2N4868A, 2N4869A, IRF540, 2N5021, 2N5114, 2N5115, 2N5116, 2N5196, 2N5197, 2N5198, 2N5199