2N5020 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2N5020
Тип транзистора: JFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 1.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0012 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
Тип корпуса: TO-18
Аналог (замена) для 2N5020
2N5020 Datasheet (PDF)
2n5020 2n5021.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-18B-18 01/992N5020, 2N5021P-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Analog SwitchesReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 VContinuous Forward Gate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 500 mWPower Derating 4 mW/CStorage Temperature Range 65C to + 200CA
2n5022 2n5023.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
Другие MOSFET... 2N4860A , 2N4861A , 2N4867 , 2N4868 , 2N4869 , 2N4867A , 2N4868A , 2N4869A , IRF540 , 2N5021 , 2N5114 , 2N5115 , 2N5116 , 2N5196 , 2N5197 , 2N5198 , 2N5199 .
History: MGSF1N02ELT1 | PV600BA | AUIRFS4321 | JCS5N50VC
History: MGSF1N02ELT1 | PV600BA | AUIRFS4321 | JCS5N50VC
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet