2N5021 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N5021
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 2.5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.0035 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: TO-18
Búsqueda de reemplazo de 2N5021 MOSFET
2N5021 Datasheet (PDF)
2n5020 2n5021.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-18B-18 01/992N5020, 2N5021P-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Analog SwitchesReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 VContinuous Forward Gate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 500 mWPower Derating 4 mW/CStorage Temperature Range 65C to + 200CA
2n5022 2n5023.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
Otros transistores... 2N4861A , 2N4867 , 2N4868 , 2N4869 , 2N4867A , 2N4868A , 2N4869A , 2N5020 , 50N06 , 2N5114 , 2N5115 , 2N5116 , 2N5196 , 2N5197 , 2N5198 , 2N5199 , 2N5245 .
History: 2SK2183 | TK12X60U | AFC5604 | P06P03LDG | AF5N65S | SIHFBC40A | AP9T18GJ
History: 2SK2183 | TK12X60U | AFC5604 | P06P03LDG | AF5N65S | SIHFBC40A | AP9T18GJ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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