2N5021 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5021  📄📄 

Тип транзистора: JFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 2.5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0035 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C

Электрические характеристики

Тип корпуса: TO-18

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N5021

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5021 даташит

 ..1. Size:89K  interfet
 2n5020 2n5021.pdf pdf_icon

2N5021

Databook.fxp 1/13/99 2 09 PM Page B-18 B-18 01/99 2N5020, 2N5021 P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Analog Switches Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 V Continuous Forward Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 500 mW Power Derating 4 mW/ C Storage Temperature Range 65 C to + 200 C A

 9.1. Size:73K  central
 2n5022 2n5023.pdf pdf_icon

2N5021

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

Другие IGBT... 2N4861A, 2N4867, 2N4868, 2N4869, 2N4867A, 2N4868A, 2N4869A, 2N5020, 50N06, 2N5114, 2N5115, 2N5116, 2N5196, 2N5197, 2N5198, 2N5199, 2N5245