Справочник MOSFET. 2N5021

 

2N5021 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2N5021
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 2.5 V
   Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.0035 A
   Максимальная температура канала (Tj): 200 °C
   Тип корпуса: TO-18

 Аналог (замена) для 2N5021

 

 

2N5021 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  interfet
2n5020 2n5021.pdf

2N5021

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-18B-18 01/992N5020, 2N5021P-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Analog SwitchesReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 VContinuous Forward Gate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 500 mWPower Derating 4 mW/CStorage Temperature Range 65C to + 200CA

 9.1. Size:73K  central
2n5022 2n5023.pdf

2N5021

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top