2N5021 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N5021
Тип транзистора: JFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 2.5 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.0035 A
Максимальная температура канала (Tj): 200 °C
Тип корпуса: TO-18
2N5021 Datasheet (PDF)
..1. Size:89K interfet
2n5020 2n5021.pdf
2n5020 2n5021.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-18B-18 01/992N5020, 2N5021P-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Analog SwitchesReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 VContinuous Forward Gate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 500 mWPower Derating 4 mW/CStorage Temperature Range 65C to + 200CA
9.1. Size:73K central
2n5022 2n5023.pdf
2n5022 2n5023.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
Другие MOSFET... 2N4861A , 2N4867 , 2N4868 , 2N4869 , 2N4867A , 2N4868A , 2N4869A , 2N5020 , IRF540 , 2N5114 , 2N5115 , 2N5116 , 2N5196 , 2N5197 , 2N5198 , 2N5199 , 2N5245 .
