2N5021 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2N5021
Тип транзистора: JFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 2.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0035 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
Тип корпуса: TO-18
Аналог (замена) для 2N5021
2N5021 Datasheet (PDF)
2n5020 2n5021.pdf
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-18B-18 01/992N5020, 2N5021P-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Analog SwitchesReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 VContinuous Forward Gate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 500 mWPower Derating 4 mW/CStorage Temperature Range 65C to + 200CA
2n5022 2n5023.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
Другие MOSFET... 2N4861A , 2N4867 , 2N4868 , 2N4869 , 2N4867A , 2N4868A , 2N4869A , 2N5020 , 50N06 , 2N5114 , 2N5115 , 2N5116 , 2N5196 , 2N5197 , 2N5198 , 2N5199 , 2N5245 .
History: NCEP0260
History: NCEP0260
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
Popular searches
fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet