Справочник MOSFET. 2N5021

 

2N5021 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N5021
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0035 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
   Тип корпуса: TO-18
 

 Аналог (замена) для 2N5021

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5021 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  interfet
 2n5020 2n5021.pdf pdf_icon

2N5021

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-18B-18 01/992N5020, 2N5021P-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Analog SwitchesReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 VContinuous Forward Gate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 500 mWPower Derating 4 mW/CStorage Temperature Range 65C to + 200CA

 9.1. Size:73K  central
 2n5022 2n5023.pdf pdf_icon

2N5021

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

Другие MOSFET... 2N4861A , 2N4867 , 2N4868 , 2N4869 , 2N4867A , 2N4868A , 2N4869A , 2N5020 , 50N06 , 2N5114 , 2N5115 , 2N5116 , 2N5196 , 2N5197 , 2N5198 , 2N5199 , 2N5245 .

History: CS50N06 | PH3330L | NCEP068N10AK | BUK445-100B | TK80E06K3A | FK10UM-10 | 2N6793LCC4

 

 
Back to Top

 


 
.