2N5021 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N5021
Тип транзистора: JFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.0035 A
Максимальная температура канала (Tj): 200 °C
Тип корпуса: TO-18
2N5021 Datasheet (PDF)
0.1. 2n5020 2n5021.pdf 
Size:89K _interfet
Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-18B-18 01/992N5020, 2N5021P-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Analog SwitchesReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 VContinuous Forward Gate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 500 mWPower Derating 4 mW/CStorage Temperature Range 65C to + 200CA
9.1. 2n5022 2n5023.pdf Size:73K _central
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
