Справочник MOSFET. 2N5021

 

2N5021 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N5021

Тип транзистора: JFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.0035 A

Максимальная температура канала (Tj): 200 °C

Тип корпуса: TO-18

Аналог (замена) для 2N5021

 

 

2N5021 Datasheet (PDF)

0.1. 2n5020 2n5021.pdf Size:89K _interfet

2N5021

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-18B-18 01/992N5020, 2N5021P-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C Analog SwitchesReverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 50 VContinuous Forward Gate Current 50 mAContinuous Device Power Dissipation 500 mWPower Derating 4 mW/CStorage Temperature Range 65C to + 200CA

9.1. 2n5022 2n5023.pdf Size:73K _central

2N5021

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top