2N5566 Todos los transistores

 

2N5566 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5566

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.65 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 3 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 100 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-71

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2N5566 Datasheet (PDF)

1.1. 2n5564 2n5565 2n5566.pdf Size:89K _vishay

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2N5564/5565/5566 Vishay Siliconix Matched N-Channel JFET Pairs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IG Typ (pA) jVGS1 - VGS2j Max (mV) 2N5564 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 5 2N5565 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 10 2N5566 -0.5 to -3 -40 7.5 -3 20 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Two-Chip Design D Tight Differential Match vs. Current D Wideband Differential Amps D High Sl

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 
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